Справочник электронных компонентов

Транзистор G10N10

G10N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор G10N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CSD19531Q5A SMD N 3.3 100 20 3.3 16 0.0064 37 5.8 560 150 SON5X6
CSD19533Q5A SMD N 3.2 100 20 3.4 13 0.0094 27 6 395 150 SON5X6
CSD19534Q5A SMD N 3.2 100 20 3.4 10 0.0151 17 14 257 150 SON5X6
IRFH5010PBF SMD N 3.6 100 20 4 13 0.009 65 12 425 150 PQFN5X6
IRFH5210PBF SMD N 3.6 100 20 4 10 0.0149 40 9.7 260 150 PQFN5X6
IRFH7194 SMD N 3.6 100 20 3.6 11 0.0164 13 3.3 374 150 PQFN5X6
SI4056DY SMD N 5.7 100 20 2.8 11.1 0.017 - 14 340 150 SOP-8
SI7178DP SMD N 6.25 100 20 4.5 14.9 0.014 - 10 225 150 PowerPAKSO-8
SI7252DP SMD N 3.5 100 20 3.5 10.1 0.017 - 13 311 150 PowerPAKSO-8
SIE854DF SMD N 5.2 100 20 4.4 13.2 0.0142 50 10 250 150 PolarPAK
SIJ470DP SMD N 5 100 20 3.5 17.4 0.0091 36.9 8 470 150 SO-8L
SIR878ADP SMD N 5 100 20 2.8 13.3 0.014 27.9 11 500 150 SO-8
STL70N10F3 SMD N 4 100 20 4 16 0.0084 56 11 450 175 PowerFLAT5X6
TK32A12N1 PTH N 30 120 20 4 32 0.0138 34 14 330 150 TO-220SIS