Справочник электронных компонентов

Транзистор H5N2503P

H5N2503P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор H5N2503P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT30M30B2FLLG PTH N 694 300 30 5 100 0.03 140 22 1895 150 TMAX
APT30M30B2LLG PTH N 694 300 30 5 100 0.03 140 22 1895 150 TMAX
APT30M30JFLL Модуль N 520 300 30 5 88 0.03 140 19 1895 150 ISOTOP
APT30M30LFLL PTH N 694 300 30 5 100 0.03 140 22 1895 150 TO-264
APT30M30LLLG PTH N 694 300 30 5 100 0.03 140 22 1895 150 TO-264
APT30M36JFLL Модуль N 463 300 30 5 76 0.036 115 28 1540 150 ISOTOP
FDA2712 PTH N 357 250 30 5 64 0.034 129 371 550 150 TO-3PN
FQA55N25 PTH N 310 250 30 5 55 0.04 140 - - 150 TO-3PN
FQA62N25C PTH N 298 250 30 4 62 0.035 100 - - 150 TO-3PN
IRFB4332PBF PTH N 390 250 30 5 60 0.033 99 - 530 175 TO-220AB
IRFP4332 PTH N 360 250 30 5 57 0.033 99 - - 175 TO-247AC
IXTA76N25T SMD N 460 250 30 5 76 0.039 92 148 - 150 TO-263
IXTH76N25T PTH N 460 250 30 5 76 0.039 92 148 - 150 TO-247
IXTH96N25T PTH N 625 250 30 5 96 0.029 114 158 - 150 TO-247
IXTI76N25T PTH N 460 250 30 5 76 0.039 92 25 480 150 TO-262
IXTP76N25T PTH N 460 250 30 5 76 0.039 92 148 - 150 TO-220
IXTQ76N25T PTH N 460 250 30 5 76 0.039 92 148 - 150 TO-3P
IXTQ96N25T PTH N 625 250 30 5 96 0.029 114 158 - 150 TO-3P
IXTV96N25T PTH N 625 250 30 5 96 0.029 114 158 - 150 PLUS220
RJK2511DPK PTH N 200 250 30 - 65 0.028 120 200 690 150 TO-3P
TK62N60X PTH N 400 600 30 3.5 61.8 0.04 135 40 140 150 TO-247