Справочник электронных компонентов

Транзистор HFW50N06

HFW50N06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 600 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор HFW50N06 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB50N06TM	SMD	N	120	60	25	4	50	0.022	31	105	440	175	D2PAK
FQI50N06TU	PTH	N	120	60	25	4	50	0.022	31	105	440	175	I2PAK
HFI50N06	PTH	N	120	60	25	4	50	0.022	40	105	600	175	I2PAK
SM1A01NFS	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220
SM1A01NSF	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220