Справочник электронных компонентов

Транзистор HUF75307T3ST

HUF75307T3ST - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор HUF75307T3ST можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDC3512	SMD	N	1.6	80	20	4	3	0.077	13	3	58	150	SuperSOT-6
FDC5612	SMD	N	1.6	60	20	4	4.3	0.055	12.5	-	-	150	SuperSOT-6
FDM3622	SMD	N	2.1	100	20	4	4.4	0.06	13	-	-	150	Power33
FDS3512	SMD	N	2.5	80	20	4	4	0.07	13	-	-	175	SO-8
FDS3692	SMD	N	2.5	100	20	4	4.5	0.06	11	-	-	150	SO-8
FDS86141	SMD	N	5	100	20	4	7	0.023	11.8	-	-	150	SO-8
FDS86252	SMD	N	5	150	20	4	4.5	0.055	10.6	-	-	150	SO-8
IRFL024N	SMD	N	2.1	55	20	4	4	0.075	12.2	-	400	150	SOT-223
KDS3512	SMD	N	2.5	80	20	4	4	0.07	13	3	58	175	SOP-8
STL35N6F3	SMD	N	5	60	20	4	10	0.022	13.6	2.9	173	175	PowerFLAT5X6