Транзистор HX2N60
HX2N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
- Корпус: TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 23.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HX2N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60WN4K5H |
SMD |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
- |
8 |
19 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN4K5I |
PTH |
N |
24 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
- |
8 |
19 |
150 |
TO-220F |
| AP60WN4K9H |
SMD |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN4K9J |
PTH |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-251 |
| AP60WN4K9P |
PTH |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-220 |
| MMIS70H900QTH |
PTH |
N |
28 |
700 |
30 |
4 |
3.2 |
1.4 |
8 |
19 |
19 |
150 |
TO-251 |
| MSQ2N60 |
SMD |
N |
45 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.8 |
- |
25 |
20 |
150 |
SON5X6 |
| MSU2N60S |
PTH |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.7 |
- |
24 |
20 |
150 |
TO-251 |
| SSF2N60D1 |
SMD |
N |
48 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.7 |
7 |
25 |
20 |
150 |
TO-252 |
| WFD2N60B |
SMD |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-252 |
| WFU2N60B |
PTH |
N |
46 |
600 |
30 |
4 |
2 |
5 |
9 |
23 |
15 |
150 |
TO-251 |