Справочник электронных компонентов

Транзистор HY13N50T

HY13N50T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 183 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.52 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор HY13N50T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB15S65	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOB15S65L	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOB25S65	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOB25S65L	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOT25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOT25S65L	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOW15S65	PTH	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-262
AOW25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-262
PJP13NA50	PTH	N	190	500	30	4	13	0.52	-	30	180	150	TO-220AB
SIHG22N60E	PTH	N	227	600	30	4	21	0.18	57	27	90	150	TO-247AC
SIHG30N60E	PTH	N	250	600	30	4	29	0.125	85	32	138	150	TO-247AC