Транзистор HY2N60D
HY2N60D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 42 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HY2N60D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS3N60A3 |
PTH |
N |
55 |
600 |
30 |
4 |
3 |
3.2 |
11 |
7 |
38 |
150 |
TO-251 |
| CS3N65A4H-G |
SMD |
N |
55 |
650 |
30 |
4 |
3 |
3.5 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-252 |
| CS3N70A3H-G |
PTH |
N |
55 |
700 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
11 |
6 |
39 |
150 |
TO-251 |