Транзистор HY2N65D
HY2N65D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 36 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HY2N65D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP65WN2K3H |
SMD |
N |
62.5 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
- |
17 |
35 |
150 |
TO-252 |
| AP70WN2K8H |
SMD |
N |
50 |
700 |
30 |
4 |
4 |
2.8 |
- |
17 |
34 |
150 |
TO-252 |
| HY2N65T |
PTH |
N |
44.5 |
650 |
30 |
4 |
2 |
4.6 |
- |
18.6 |
36 |
150 |
TO-220AB |