Справочник электронных компонентов

Транзистор HY6N60D

HY6N60D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор HY6N60D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
CS6N60A3TY PTH N 85 600 30 4 6 1.7 17 14 74 150 TO-251
CS6N60A4D SMD N 85 600 30 4 6 1.7 17 14 74 150 TO-252
HY6N60T PTH N 86 600 30 4 6 1.8 - 18.8 92 150 TO-220AB
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N62E SMD N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-252
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N62E PTH N 78 620 30 4 6 0.9 17 10 36 150 TO-251
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251