Справочник электронных компонентов

Транзистор IPA086N10N3G

IPA086N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPA086N10N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB2918L SMD N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-263
AOT2918L PTH N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-220
AOTF2918L PTH N 41 100 20 3.9 58 0.007 38 24 1530 175 TO-220F
BSC070N10NS3G SMD N 114 100 - - 90 0.007 42 - - - SuperSOT-8
CSD19531KCS PTH N 214 100 20 3.3 100 0.0077 38 7.2 560 175 TO-220
FDMS86101 SMD N 104 100 20 4 60 0.008 39 - - 150 Power56
FDMS86101A SMD N 104 100 20 4 60 0.008 42 - - 150 Power56
FDP085N10A PTH N 188 100 20 4 96 0.0085 40 - - 175 TO-220
FDP085N10A_F102 PTH N 188 100 20 - 68 0.0085 31 - - 175 TO-220
IPB083N10N3G SMD N 125 100 - - 80 0.0083 42 - - - D2PAK
IPD082N10N3G SMD N 125 100 - - 80 0.0082 42 - - - DPAK
IPI086N10N3G PTH N 125 100 - - 80 0.0086 42 - - - I2PAK
IPP086N10N3G PTH N 125 100 - - 80 0.0086 42 - - - TO-220