Справочник электронных компонентов

Транзистор IPA180N10N3G

IPA180N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220FP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPA180N10N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BSC160N10NS3G	SMD	N	60	100	-	-	42	0.016	19	-	-	-	SuperSOT-8
CSD19534KCS	PTH	N	118	100	20	3.4	54	0.0165	17.1	2	257	175	TO-220
FDP150N10A_F102	PTH	N	91	100	20	-	36	0.015	16.2	-	-	175	TO-220
IPD180N10N3G	SMD	N	71	100	-	-	43	0.018	19	-	-	-	DPAK
IPI180N10N3G	PTH	N	71	100	-	-	43	0.018	19	-	-	-	I2PAK
IPP180N10N3G	PTH	N	71	100	-	-	43	0.018	19	-	-	-	TO-220