Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB023N06N3G

IPB023N06N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPB023N06N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB260L SMD N 330 60 20 3.2 140 0.0022 150 27 1360 175 TO-263
AUIRLS3036-7P SMD N 380 60 16 2.5 300 0.0019 110 - - 175 D2PAK
CSD18535KCS PTH N 300 60 20 2.4 200 0.002 63 3 890 175 TO-220
CSD18536KCS PTH N 375 60 20 2.2 200 0.0016 83 17 1700 175 TO-220
CSD19506KCS PTH N 375 80 20 3.2 150 0.0023 120 11 2260 175 TO-220
FDBL86361_F085 SMD N 429 80 20 - 300 0.0014 172 - - 175 H-PSOF8L
IPB014N06N SMD N 214 60 20 3.3 180 0.0014 106 18 1800 175 TO-263-7
IPB015N08N5 SMD N 375 80 20 3.8 180 0.0015 178 32 2000 175 TO-263
IPB016N06L3G SMD N 250 60 - - 180 0.0016 125 - - - D2PAK
IPB017N10N5 SMD N 375 100 20 3.8 180 0.0017 168 23 1810 175 TO-263
IPB019N08N3G SMD N 300 80 - - 180 0.0019 155 - - - D2PAK
IPT012N08N5 SMD N 375 80 20 3.8 300 0.0012 178 31 2000 175 HSOF-8
IPT015N10N5 SMD N 375 100 20 3.8 300 0.0015 169 30 1800 175 HSOF-8
IPT020N10N3 SMD N 375 100 20 3.5 300 0.002 156 58 2010 175 HSOF-8
IRLS3036-7P SMD N 380 60 16 2.5 300 0.0019 110 - - 175 D2PAK
IRLS3036-7PPBF SMD N 380 60 16 2.5 240 0.0019 160 540 1025 175 TO-263-CA7
STP270N8F7 PTH N 315 80 20 4 180 0.0021 193 180 2050 175 TO-220