Транзистор IPB025N10N3G
IPB025N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB025N10N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD19536KTT |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.2 |
200 |
0.0024 |
118 |
8 |
1820 |
175 |
D2PAK |
| IPT020N10N3 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.5 |
300 |
0.002 |
156 |
58 |
2010 |
175 |
HSOF-8 |