Транзистор IPB100P03P3L-04
IPB100P03P3L-04 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPB100P03P3L-04 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQM110P04-04L |
SMD |
P |
375 |
40 |
20 |
2.5 |
120 |
0.004 |
- |
15 |
1614 |
175 |
TO-263 |
| SQM120P04-04L |
SMD |
P |
375 |
40 |
20 |
2.5 |
120 |
0.004 |
220 |
15 |
1614 |
175 |
TO-263 |
| TJ100F04M3L |
SMD |
P |
250 |
40 |
10 |
3 |
100 |
0.0036 |
250 |
10 |
1550 |
175 |
TO-220SM |
| TJ150F04M3L |
SMD |
P |
300 |
40 |
10 |
3 |
150 |
0.0028 |
390 |
10 |
2350 |
175 |
TO-220SM |
| TJ200F04M3L |
SMD |
P |
375 |
40 |
10 |
3 |
200 |
0.0018 |
460 |
14 |
2400 |
175 |
TO-220SM |
| UTT100P03 |
PTH |
P |
200 |
30 |
16 |
- |
100 |
0.0033 |
- |
45 |
2150 |
175 |
TO-220 |