Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB180N04S4-H0

IPB180N04S4-H0 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0011 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 225 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPB180N04S4-H0 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDBL0065N40	SMD	N	429	40	20	4	300	0.00065	220	-	-	175	H-PSOF8L
FDBL0090N40	SMD	N	357	40	20	4	240	0.00065	144	-	-	175	H-PSOF8L
FDBL0120N40	SMD	N	300	40	20	4	240	0.0009	90	-	-	175	H-PSOF8L
FDBL9401_F085	SMD	N	429	40	20	-	300	0.00065	220	-	-	175	H-PSOF8L
FDBL9403_F085	SMD	N	357	40	20	-	240	0.0009	144	-	-	175	H-PSOF8L
IPB010N06N	SMD	N	300	60	20	3.3	180	0.001	208	36	3400	175	TO-263-7
IPB011N04NG	SMD	N	250	40	-	-	180	0.0011	180	-	-	-	D2PAK
IPT007N06N	SMD	N	375	60	20	3.3	300	0.00075	216	18	3400	175	HSOF-8
TK200F04N1L	SMD	N	375	40	20	3	200	0.0009	214	15	7680	175	TO-220SM