Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB80N04S4-04

IPB80N04S4-04 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPB80N04S4-04 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB442 SMD N 150 40 20 2.3 105 0.0042 36 18 744 175 TO-263
AON6440 SMD N 83 40 20 2.2 85 0.0034 40 4.5 780 150 DFN5X6
AP0103GP-HF PTH N 250 40 20 - 220 0.00299 30 80 605 150 TO-220
BUK9Y3R0-40E SMD N 194 40 10 2.1 100 0.0025 35.5 44 563 175 LFPAK56
BUK9Y3R5-40E SMD N 167 40 10 2.1 100 0.0036 30.2 36.8 487 175 LFPAK56
BUK9Y4R4-40E SMD N 147 40 10 2.1 100 0.0037 26.8 31 422 175 LFPAK56
CSD18502KCS PTH N 259 40 20 2.1 100 0.0029 25 7.3 900 175 TO-220
CSD18532KCS PTH N 250 60 20 2.2 100 0.0042 21 5.3 470 175 TO-220
CSD18542KCS PTH N 200 60 20 2.2 170 0.004 21 5 570 175 TO-220
FDD9409_F085 SMD N 150 40 20 - 90 0.0032 42 - - 175 TO-252
IPB020N04NG SMD N 167 40 - - 140 0.002 43 - - - D2PAK
IPD90N04S4-04 SMD N 71 40 - - 90 0.0041 43 - - - TO-252
IPP041N04NG PTH N 94 40 - - 80 0.0041 42 - - - TO-220
PSMN4R0-40YS SMD N 106 40 20 4 100 0.0042 38 - - 175 LFPAK
SPMT16040F PTH N 187 40 20 3 80 0.004 25 62 590 175 TO-220AB