Справочник электронных компонентов

Транзистор IPI023NE7N3G

IPI023NE7N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0023 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPI023NE7N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CSD19506KCS	PTH	N	375	80	20	3.2	150	0.0023	120	11	2260	175	TO-220
IPB019N08N3G	SMD	N	300	80	-	-	180	0.0019	155	-	-	-	D2PAK
IPB020N08N5	SMD	N	300	80	20	3.8	120	0.002	133	16	1500	175	TO-263
IPB020NE7N3G	SMD	N	300	75	-	-	120	0.002	155	-	-	-	D2PAK
IPP023N08N5	PTH	N	300	80	20	3.8	120	0.0023	133	16	1500	175	TO-220
IPP023NE7N3G	PTH	N	300	75	20	3.8	100	0.0023	155	-	-	175	TO-220
IPT020N10N3	SMD	N	375	100	20	3.5	300	0.002	156	58	2010	175	HSOF-8