Транзистор IPP020N08N5
IPP020N08N5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 178 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2000 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IPP020N08N5 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB015N08N5 |
SMD |
N |
375 |
80 |
20 |
3.8 |
180 |
0.0015 |
178 |
32 |
2000 |
175 |
TO-263 |
| IPB017N08N5 |
SMD |
N |
375 |
80 |
20 |
3.8 |
120 |
0.0017 |
178 |
36 |
2000 |
175 |
TO-263 |
| IPB017N10N5 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.8 |
180 |
0.0017 |
168 |
23 |
1810 |
175 |
TO-263 |
| IPB020N10N5 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.8 |
120 |
0.002 |
168 |
26 |
1810 |
175 |
TO-263 |
| IPT012N08N5 |
SMD |
N |
375 |
80 |
20 |
3.8 |
300 |
0.0012 |
178 |
31 |
2000 |
175 |
HSOF-8 |
| IPT015N10N5 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.8 |
300 |
0.0015 |
169 |
30 |
1800 |
175 |
HSOF-8 |