Справочник электронных компонентов

Транзистор IPP04CN10NG

IPP04CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPP04CN10NG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FDB035N10A SMD N 333 100 20 4 125 0.0035 89 - - 175 TO-263
FDP036N10A PTH N 333 100 20 4 125 0.0036 89 - - 175 TO-220
IPB04CN10NG SMD N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-263
IPI04CN10N PTH N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-262
IPP04CN10N PTH N 300 100 20 4 100 0.0039 158 78 1590 175 TO-220
TK160F10N1 SMD N 375 100 20 4 160 0.0024 121 22 3960 175 TO-220SM