Транзистор IPS110N12N3G
IPS110N12N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK-SL
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 120 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IPS110N12N3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPB108N15N3G |
SMD |
N |
214 |
150 |
- |
- |
83 |
0.0108 |
41 |
- |
- |
- |
D2PAK |
| IPD110N12N3G |
SMD |
N |
136 |
120 |
- |
- |
75 |
0.011 |
49 |
- |
- |
- |
DPAK |
| IPI111N15N3G |
PTH |
N |
214 |
150 |
- |
- |
83 |
0.0111 |
41 |
- |
- |
- |
I2PAK |
| IPP111N15N3G |
PTH |
N |
214 |
150 |
- |
- |
83 |
0.0111 |
41 |
- |
- |
- |
TO-220 |