Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF6218S

IRF6218S - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 27 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 71 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IRF6218S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF6218	PTH	P	250	150	20	-	27	0.15	21	-	-	-	TO-220AB
IRF6218L	PTH	P	250	150	20	5	27	0.15	71	70	370	175	TO-262
IRF6218PBF	PTH	P	250	150	20	5	27	0.15	71	70	370	175	TO-220AB
IRF6218SPBF	SMD	P	250	150	20	5	27	0.15	71	70	370	175	TO-263
IXTA36P15P	SMD	P	300	150	20	4.5	36	0.11	55	228	-	150	TO-263
IXTH36P15P	PTH	P	300	150	20	4.5	36	0.11	55	228	-	150	TO-247
IXTP36P15P	PTH	P	300	150	20	4.5	36	0.11	55	228	-	150	TO-220
IXTQ36P15P	PTH	P	300	150	20	4.5	36	0.11	55	228	-	150	TO-3P