Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF7488

IRF7488 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SO-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.029 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF7488 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDS3572	SMD	N	2.5	80	20	4	8.9	0.016	31	-	-	150	SO-8
FDS3580	SMD	N	2.5	80	20	4	7.6	0.027	34	-	-	150	SO-8
FDS3672	SMD	N	2.5	100	20	4	7.5	0.022	28	-	-	150	SO-8
FDS86140	SMD	N	5	100	20	4	11.2	0.0098	29	-	-	150	SO-8
FDS86141	SMD	N	5	100	20	4	7	0.023	11.8	-	-	150	SO-8
FDS86240	SMD	N	5	150	20	4	7.5	0.0198	28	-	-	150	SO-8
IRF7493PBF	SMD	N	2.5	80	20	4	9.3	0.015	35	7.5	320	150	SO-8
IRF7493PBF-1	SMD	N	2.5	80	20	4	9.3	0.015	35	7.5	320	150	SO-8
IRF7495PBF	SMD	N	2.5	100	20	4	7.3	0.022	34	13	250	150	SO-8
PHK12NQ10T	SMD	N	8.9	100	20	4	11.6	0.028	35	-	-	150	SO-8
SM1A01NSFP	PTH	N	25	100	25	4	25	0.022	37	13	270	150	TO-220FP