Транзистор PHK12NQ10T
PHK12NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 8.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PHK12NQ10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDD86102 |
SMD |
N |
62 |
100 |
20 |
4 |
42 |
0.024 |
13.4 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| FDMC86102 |
SMD |
N |
41 |
100 |
20 |
4 |
20 |
0.024 |
13 |
- |
- |
150 |
Power33 |
| FDMS86104 |
SMD |
N |
73 |
100 |
20 |
4 |
16 |
0.024 |
11.7 |
- |
- |
150 |
Power56 |
| FDPF085N10A |
PTH |
N |
33.3 |
100 |
20 |
4 |
40 |
0.0085 |
31 |
- |
- |
175 |
TO-220F |
| FDPF190N15A |
PTH |
N |
33 |
150 |
20 |
4 |
17.4 |
0.019 |
30 |
- |
- |
150 |
TO-220F |
| PSMN027-100XS |
PTH |
N |
41.1 |
100 |
20 |
4 |
23.4 |
0.0268 |
30 |
8.5 |
115 |
175 |
TO-220F |
| PSMN028-100YS |
SMD |
N |
89 |
100 |
20 |
4 |
42 |
0.0275 |
33 |
- |
- |
175 |
LFPAK |
| TK22E10N1 |
PTH |
N |
72 |
100 |
20 |
4 |
52 |
0.0138 |
28 |
11 |
310 |
150 |
TO-220 |
| TK32A12N1 |
PTH |
N |
30 |
120 |
20 |
4 |
32 |
0.0138 |
34 |
14 |
330 |
150 |
TO-220SIS |