Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF7704

IRF7704 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSSOP-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF7704 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFP4637	SMD	P	2.8	40	20	3	6.8	0.037	13	55	145	150	SOP-8P
AFP4637W	SMD	P	2.8	40	20	3	6.8	0.037	13	55	145	150	SOP-8P
AFP8463	SMD	P	2.8	40	20	3	6	0.046	13	55	145	150	SOT-223
CHM4301JGP	SMD	P	2.5	40	20	3	6	0.042	18.9	4	215	150	SO-8
CHM4301ZGP	SMD	P	3	40	20	3	6.3	0.044	20	4	200	150	SOT-223
FDS4685	SMD	P	2.5	40	20	3	8.2	0.027	19	-	-	150	SO-8
IRF7704GPBF	SMD	P	1.5	40	20	3	4.6	0.046	25	360	250	150	TSSOP-8
IRF7704PBF	SMD	P	1.5	40	20	3	4.6	0.046	25	360	250	150	TSSOP-8
SSM9563M	SMD	P	2.5	40	25	3	6	0.04	19	7	240	150	SO-8