Справочник электронных компонентов

Транзистор IRF9230

IRF9230 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.92 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRF9230 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6806	PTH	P	75	200	20	-	6.5	0.8	31	100	200	150	TO-3
FQA12P20	PTH	P	150	200	30	5	12.6	0.47	31	195	190	150	TO-3PN
FQB12P20TM	SMD	P	120	200	30	5	11.5	0.47	31	195	190	150	D2PAK
FQB9P25TM	SMD	P	120	250	30	5	9.4	0.62	29	150	170	150	D2PAK
FQP7P20	PTH	P	90	200	30	5	7.3	0.69	19	110	140	150	TO-220
IRF9630	PTH	P	75	200	20	4	6.5	0.8	29	-	700	150	TO-220
IRFY9230	PTH	P	75	200	20	4	6.5	0.8	31	100	200	150	TO-257AA
KQB12P20	SMD	P	120	200	30	5	11.5	0.47	31	195	190	150	TO-263