Транзистор IRFB3006G
IRFB3006G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 270 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 200 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IRFB3006G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AUIRFS3006 |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
4 |
270 |
0.0025 |
200 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| AUIRFS3006-7P |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
4 |
293 |
0.0021 |
200 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| FDBL86361_F085 |
SMD |
N |
429 |
80 |
20 |
- |
300 |
0.0014 |
172 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| IPT012N08N5 |
SMD |
N |
375 |
80 |
20 |
3.8 |
300 |
0.0012 |
178 |
31 |
2000 |
175 |
HSOF-8 |
| IPT015N10N5 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.8 |
300 |
0.0015 |
169 |
30 |
1800 |
175 |
HSOF-8 |
| IPT020N10N3 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
3.5 |
300 |
0.002 |
156 |
58 |
2010 |
175 |
HSOF-8 |
| IRFB3006 |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
- |
270 |
0.0025 |
200 |
- |
- |
- |
TO-220AB |
| IRFS3006 |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
4 |
270 |
0.0025 |
200 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| IRFS3006-7P |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
4 |
293 |
0.0021 |
200 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| IRFSL3006 |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
- |
270 |
0.0025 |
200 |
- |
- |
- |
TO-262 |