Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFE9210

IRFE9210 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: LCC-18

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 11 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.45 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 8.9 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFE9210 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM10P20-1400D	SMD	P	50	200	20	1	4.9	1.4	4	8	82	175	TO-252
FQB3P20TM	SMD	P	52	200	30	5	2.8	2.7	6	35	45	150	D2PAK
FQD3P20TF	SMD	P	37	200	30	5	2.4	2.7	6	35	45	150	DPAK
FQD3P20TM	SMD	P	37	200	30	5	2.4	2.7	6	35	45	150	DPAK
FQI3P20TU	PTH	P	52	200	30	5	2.8	2.7	6	35	45	150	I2PAK
FQPF3P20	PTH	P	32	200	30	5	2.2	2.7	6	35	45	150	TO-220F
FQU3P20TU	PTH	P	37	200	30	5	2.4	2.7	6	35	45	150	IPAK
IRFF9210	PTH	P	15	200	-	-	1.5	3.45	8.9	-	170	150	TO-39
IRFR9210PBF	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
IRFU9210PBF	PTH	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-251
KRFR9210	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
SIHFR9210	SMD	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-252
SIHFU9210	PTH	P	25	200	20	4	1.9	3	8.9	12	54	150	TO-251