Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор IRFF9120 полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFF9120

IRFF9120 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-39

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.69 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 16.3 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 380 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFF9120 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6845	PTH	P	20	100	20	-	4	0.6	16.3	100	170	150	TO-39
AM10P10-530I	PTH	P	50	100	20	1	8	0.53	9	49	88	175	TO-251
AM10P15-550D	SMD	P	50	150	20	1	7.8	0.55	6	18	98	175	TO-252
AM20P15-295D	SMD	P	50	150	20	1	10.7	0.295	6	18	98	175	TO-252
FQB8P10TM	SMD	P	65	100	30	4	8	0.53	12	110	120	175	D2PAK
FQD8P10TF	SMD	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	DPAK
FQD8P10TM	SMD	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	DPAK
FQI8P10TU	PTH	P	65	100	30	4	8	0.53	12	110	120	175	I2PAK
FQPF8P10	PTH	P	28	100	30	4	5.3	0.53	12	110	120	175	TO-220F
FQU8P10TU	PTH	P	44	100	30	4	6.6	0.53	12	110	120	150	IPAK
IRFY9120	PTH	P	30	100	-	-	5.3	0.69	16.3	-	380	150	TO-220M
IRFY9120C	PTH	P	30	100	-	-	5.3	0.69	16.3	-	380	150	TO-220MC