Транзистор IRFH7932
IRFH7932 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PQFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0033 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFH7932 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HAT2165H |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.0025 |
33 |
- |
- |
150 |
LFPAK |
| HAT2166H |
SMD |
N |
25 |
30 |
20 |
2.5 |
45 |
0.0029 |
27 |
- |
- |
150 |
LFPAK |
| HAT2265H |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
- |
55 |
0.0033 |
33 |
65 |
1200 |
150 |
LFPAK |
| IRFH5302 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
- |
32 |
0.0021 |
29 |
- |
- |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH5302D |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
- |
29 |
0.0025 |
26 |
- |
- |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH8311 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.35 |
32 |
0.0021 |
30 |
26 |
1065 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH8316 |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.2 |
27 |
0.00295 |
30 |
67 |
740 |
150 |
PQFN5X6 |
| IRFH8318PBF |
SMD |
N |
3.6 |
30 |
20 |
2.35 |
27 |
0.0031 |
19 |
33 |
700 |
150 |
PQFN5X6 |
| NVMFS4C03N |
SMD |
N |
3.71 |
30 |
20 |
2.2 |
31.4 |
0.0021 |
20.8 |
32 |
1673 |
175 |
SO-8FL |
| NVMFS5C423NL |
SMD |
N |
3.7 |
40 |
20 |
2 |
31 |
0.003 |
23 |
72 |
1300 |
175 |
DFN5X6 |
| STL160NS3LLH7 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
2.3 |
36 |
0.0021 |
20 |
21.3 |
970 |
150 |
PowerFLAT5X6 |