Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFI9530G

IRFI9530G - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор IRFI9530G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FQA17P10 PTH P 120 100 30 4 18 0.19 30 200 310 175 TO-3P
FQAF17P10 PTH P 56 100 30 4 12.4 0.19 30 200 310 175 TO-3PF
FQB12P10TM SMD P 75 100 30 4 11.5 0.29 21 160 220 175 D2PAK
FQB15P12TM SMD P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 D2PAK
FQB17P10TM SMD P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 200 310 175 D2PAK
FQI15P12TU PTH P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 I2PAK
FQP12P10 PTH P 75 100 30 4 11.5 0.29 27 - - 175 TO-220
FQP15P12 PTH P 100 120 30 4 15 0.2 38 - - 175 TO-220
FQP17P10 PTH P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 - - 175 TO-220
FQPF12P10 PTH P 38 100 30 4 8.2 0.29 21 160 220 175 TO-220F
FQPF15P12 PTH P 41 120 30 4 15 0.2 29 - - 175 TO-220F
FQPF17P10 PTH P 41 100 30 4 10.5 0.19 30 200 310 175 TO-220F
IRF9530 PTH P 88 100 20 4 12 0.3 38 - - 175 TO-220AB
IRF9530PBF PTH P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-220AB
IRF9530S SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263
IRF9530SPBF SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263
SIHF9530 PTH P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-220AB
SIHF9530S SMD P 88 100 20 4 12 0.3 38 52 340 175 TO-263
SIHFI9530G PTH P 42 100 20 4 7.7 0.3 38 52 340 175 TO-220FP