Транзистор IRFIB5N65A
IRFIB5N65A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.93 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 48 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1417 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRFIB5N65A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KP8N65D |
PTH |
N |
78 |
650 |
30 |
4 |
8 |
0.62 |
21 |
25 |
500 |
150 |
IPAK |
| MMD80R900PRH |
SMD |
N |
75.8 |
800 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17.6 |
22.4 |
508 |
150 |
TO-252 |
| MME70R380PRH |
SMD |
N |
101 |
700 |
30 |
4 |
11 |
0.38 |
34 |
38 |
823 |
150 |
TO-263 |