Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60APBF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IRFIB6N60APBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AP09N70P-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220
AP09N70P-A-HF PTH N 156 650 30 4 9 0.75 - 21 170 150 TO-220
AP09N70R PTH N 156 600 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-262
CS10N60A8HD PTH N 125 600 30 4 10 0.75 39 16 158 150 TO-220AB
IRFB9N60APBF PTH N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-220AB
IRFS9N60APBF SMD N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-263
IRFSL9N60APBF PTH N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-262
MSF14N60 PTH N 60 600 30 4 14 0.55 - 10 180 150 TO-220F
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHFB9N60A PTH N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-220AB
SIHFS9N60A SMD N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-263
SIHFSL9N60A PTH N 170 600 30 4 9.2 0.75 49 25 180 150 TO-262
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251
SSM09N70GP-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220