Транзистор IRFN5210
IRFN5210 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD1
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 86 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 790 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFN5210 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRF5210PBF |
PTH |
P |
200 |
100 |
20 |
4 |
40 |
0.06 |
180 |
86 |
790 |
175 |
TO-220AB |
| RU1HP60R |
PTH |
P |
188 |
100 |
25 |
4 |
60 |
0.025 |
164 |
83 |
615 |
175 |
TO-220 |