Транзистор IRFP150N
IRFP150N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 39 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.036 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 73.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1900 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IRFP150N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS3710B8 |
PTH |
N |
200 |
100 |
20 |
4 |
57 |
0.023 |
72 |
30 |
620 |
175 |
TO-220AB |
| NVB6412AN |
SMD |
N |
167 |
100 |
20 |
4 |
58 |
0.0182 |
73 |
140 |
400 |
175 |
D2PAK |