Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFR5410PBF

IRFR5410PBF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 66 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.205 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRFR5410PBF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRF9530NPBF	PTH	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-220AB
IRF9530NSPBF	SMD	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-263
IRFU5410PBF	PTH	P	66	100	20	4	13	0.205	58	58	260	150	TO-251
ST13P10	SMD и PTH	P	66	100	20	4	13	0.13	58	58	260	150	TO-251,TO-252
SUM25P10-138	SMD	P	88.2	100	20	4	16.7	0.138	40	12	105	175	TO-263
SUP25P10-138	PTH	P	73.5	100	20	4	16.3	0.138	40	12	105	150	TO-220AB