Справочник электронных компонентов

Транзистор IRFY9130

IRFY9130 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор IRFY9130 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CEB20P10 SMD P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-263
CED20P10 PTH P 75 100 20 - 16 0.13 30 16 210 175 TO-251
CEP20P10 PTH P 115 100 20 - 20 0.13 30 16 210 175 TO-220
CEU20P10 SMD P 75 100 20 - 16 0.13 30 16 210 175 TO-252
FQA17P10 PTH P 120 100 30 4 18 0.19 30 200 310 175 TO-3P
FQAF17P10 PTH P 56 100 30 4 12.4 0.19 30 200 310 175 TO-3PF
FQB12P10TM SMD P 75 100 30 4 11.5 0.29 21 160 220 175 D2PAK
FQB15P12TM SMD P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 D2PAK
FQB17P10TM SMD P 100 100 30 4 16.5 0.19 30 200 310 175 D2PAK
FQD12P10TF SMD P 50 100 30 4 9.4 0.29 21 160 220 150 DPAK
FQD12P10TM SMD P 50 100 30 4 9.4 0.29 21 160 220 150 DPAK
FQI15P12TU PTH P 100 120 30 4 15 0.2 29 100 310 175 I2PAK
IRF9130SMD05 SMD P 45 100 20 4 11 0.3 29 140 350 150 SMD0.5
IRF9530-220M PTH P 45 100 20 4 9.3 0.31 30 140 350 150 TO-220
IRFN9130 SMD P 45 100 - - 9.3 0.36 29 - 800 150 TO-220SM
IRFN9130SMD SMD P 45 100 20 - 9.3 0.31 29 - 800 150 SMD1
IRFY9130C PTH P 45 100 - - 9.3 0.36 30 - 800 150 TO-220MC
IRFY9130CM PTH P 75 100 20 4 11.2 0.3 30 140 350 150 TO-257AA
IRFY9140CM PTH P 100 100 20 4 15.8 0.2 30 85 600 150 TO-257AA
SEFY9130C PTH P 75 100 20 4 11.2 0.3 30 140 350 150 TO-257
SFP9530 PTH P 66 100 30 4 10.5 0.3 30 - 800 150 TO-220
SFR9130 SMD P 57 100 - - 9.8 0.3 30 - 800 150 DPAK
SFU9130 PTH P 57 100 - - 9.8 0.3 30 - 800 150 IPAK
SFW9530 SMD P 66 100 - - 10.5 0.3 30 - 800 150 TO-263