Транзистор IRHNA57260
IRHNA57260 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.043 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 175 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 125 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 910 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHNA57260 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFB260NPBF |
PTH |
N |
380 |
200 |
20 |
4 |
56 |
0.04 |
150 |
64 |
580 |
175 |
TO-220AB |
| RU2H50Q |
PTH |
N |
326 |
200 |
25 |
4 |
60 |
0.04 |
160 |
70 |
620 |
175 |
TO-247 |
| RU2H50R |
PTH |
N |
312 |
200 |
25 |
4 |
60 |
0.043 |
160 |
70 |
620 |
175 |
TO-220 |
| RU2H50S |
SMD |
N |
312 |
200 |
25 |
4 |
60 |
0.043 |
160 |
70 |
620 |
175 |
TO-263 |
| SM2A01NSFP |
PTH |
N |
300 |
200 |
25 |
4 |
65 |
0.028 |
110 |
16 |
600 |
175 |
TO-220FP |
| STW70N60M2 |
PTH |
N |
450 |
600 |
25 |
4 |
68 |
0.04 |
118 |
17 |
250 |
150 |
TO-247 |