Справочник электронных компонентов

Транзистор IRHNA7360SE

IRHNA7360SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SMD2

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 250 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1000 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IRHNA7360SE можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPW60R041P6	PTH	N	481	600	20	4.5	77.5	0.041	170	27	310	150	TO-247
IPW65R080CFDA	PTH	N	391	650	20	4.5	43.3	0.08	161	18	210	150	TO-247
IXFK30N50Q	PTH	N	416	500	20	4.5	30	0.16	150	42	640	150	TO-264AA
IXFT28N50Q	SMD	N	375	500	30	4.5	28	0.2	94	20	470	150	TO-268
IXFT30N50Q	SMD	N	360	500	20	4.5	30	0.16	190	42	640	150	TO-268
IXFT40N50Q	SMD	N	500	500	30	4.5	40	0.14	130	20	660	150	TO-268
IXFX30N50Q	PTH	N	416	500	20	4.5	30	0.16	150	42	640	150	PLUS247
IXFX44N55Q	PTH	N	500	550	20	4.5	44	0.12	190	20	850	150	PLUS247
STW28NK60Z	PTH	N	350	600	30	4.5	27	0.185	189	45	615	150	TO-247
STW29NK50Z	PTH	N	350	500	30	4.5	31	0.13	190	41	697	150	TO-247
STW29NK50ZD	PTH	N	350	500	30	4.5	29	0.13	180	43	710	150	TO-247