Транзистор IRHNA7460SE
IRHNA7460SE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.32 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 220 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 730 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHNA7460SE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPW60R070P6 |
PTH |
N |
391 |
600 |
20 |
4.5 |
53.5 |
0.07 |
100 |
15 |
190 |
150 |
TO-247 |
| IPW65R080CFDA |
PTH |
N |
391 |
650 |
20 |
4.5 |
43.3 |
0.08 |
161 |
18 |
210 |
150 |
TO-247 |
| IXFK30N50Q |
PTH |
N |
416 |
500 |
20 |
4.5 |
30 |
0.16 |
150 |
42 |
640 |
150 |
TO-264AA |
| IXFT23N60Q |
SMD |
N |
400 |
600 |
30 |
4.5 |
23 |
0.32 |
90 |
20 |
410 |
150 |
TO-268 |
| IXFT28N50Q |
SMD |
N |
375 |
500 |
30 |
4.5 |
28 |
0.2 |
94 |
20 |
470 |
150 |
TO-268 |
| IXFT30N50Q |
SMD |
N |
360 |
500 |
20 |
4.5 |
30 |
0.16 |
190 |
42 |
640 |
150 |
TO-268 |
| IXFT30N60Q |
SMD |
N |
500 |
600 |
20 |
4.5 |
30 |
0.23 |
125 |
32 |
580 |
150 |
TO-268 |
| IXFT40N50Q |
SMD |
N |
500 |
500 |
30 |
4.5 |
40 |
0.14 |
130 |
20 |
660 |
150 |
TO-268 |
| IXFX30N50Q |
PTH |
N |
416 |
500 |
20 |
4.5 |
30 |
0.16 |
150 |
42 |
640 |
150 |
PLUS247 |
| STW20NK70Z |
PTH |
N |
350 |
700 |
30 |
4.5 |
20 |
0.285 |
185 |
33 |
550 |
150 |
TO-247 |
| STW28NK60Z |
PTH |
N |
350 |
600 |
30 |
4.5 |
27 |
0.185 |
189 |
45 |
615 |
150 |
TO-247 |
| STW29NK50Z |
PTH |
N |
350 |
500 |
30 |
4.5 |
31 |
0.13 |
190 |
41 |
697 |
150 |
TO-247 |
| STW29NK50ZD |
PTH |
N |
350 |
500 |
30 |
4.5 |
29 |
0.13 |
180 |
43 |
710 |
150 |
TO-247 |