Транзистор IRHNJ67C30
IRHNJ67C30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD0.5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IRHNJ67C30 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS4N60A3HD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-251 |
| CS4N60A4HD |
SMD |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-252 |
| CS4N60A8HD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-220AB |
| CS4N60ARRD |
PTH |
N |
75 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.3 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-262 |
| CS4N65A4HDY |
SMD |
N |
85 |
650 |
30 |
4 |
4 |
2.5 |
14.5 |
6.5 |
55 |
150 |
TO-252 |
| STB10N60M2 |
SMD |
N |
85 |
600 |
25 |
4 |
7.5 |
0.6 |
13.5 |
8 |
22 |
150 |
D2PAK |
| STD10N60M2 |
SMD |
N |
85 |
650 |
25 |
4 |
7.5 |
0.6 |
13.5 |
8 |
22 |
150 |
DPAK |
| STD11N65M2 |
SMD |
N |
85 |
650 |
25 |
4 |
7 |
0.67 |
12.5 |
7.5 |
20 |
150 |
DPAK |
| STP10N60M2 |
PTH |
N |
85 |
600 |
25 |
4 |
7.5 |
0.6 |
13.5 |
8 |
22 |
150 |
TO-220 |
| STP11N65M2 |
PTH |
N |
85 |
650 |
25 |
4 |
7 |
0.67 |
12.5 |
7.5 |
20 |
150 |
TO-220 |
| STU10N60M2 |
PTH |
N |
85 |
600 |
25 |
4 |
7.5 |
0.6 |
13.5 |
8 |
22 |
150 |
IPAK |
| STU11N65M2 |
PTH |
N |
85 |
650 |
25 |
4 |
7 |
0.67 |
12.5 |
7.5 |
20 |
150 |
IPAK |