Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор IXFH69N30P полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFH69N30P

IXFH69N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 69 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 156 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFH69N30P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT30M30B2FLLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TMAX
APT30M30B2LLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TMAX
APT30M30LFLL	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TO-264
APT30M30LLLG	PTH	N	694	300	30	5	100	0.03	140	22	1895	150	TO-264
IXFT69N30P	SMD	N	500	300	20	5	69	0.049	156	200	-	150	TO-268
IXTK102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	TO-264P
IXTN102N65X2	Модуль	N	595	650	30	5	76	0.03	152	28	6100	150	MINIBLOC
IXTX102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	PLUS247