Транзистор IXFT69N30P
IXFT69N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 69 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 156 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT69N30P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT30M30B2FLLG |
PTH |
N |
694 |
300 |
30 |
5 |
100 |
0.03 |
140 |
22 |
1895 |
150 |
TMAX |
| APT30M30B2LLG |
PTH |
N |
694 |
300 |
30 |
5 |
100 |
0.03 |
140 |
22 |
1895 |
150 |
TMAX |
| APT30M30LFLL |
PTH |
N |
694 |
300 |
30 |
5 |
100 |
0.03 |
140 |
22 |
1895 |
150 |
TO-264 |
| APT30M30LLLG |
PTH |
N |
694 |
300 |
30 |
5 |
100 |
0.03 |
140 |
22 |
1895 |
150 |
TO-264 |
| IXFH69N30P |
PTH |
N |
500 |
300 |
20 |
5 |
69 |
0.049 |
156 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTK102N65X2 |
PTH |
N |
1040 |
650 |
30 |
5 |
102 |
0.03 |
152 |
28 |
6100 |
150 |
TO-264P |
| IXTN102N65X2 |
Модуль |
N |
595 |
650 |
30 |
5 |
76 |
0.03 |
152 |
28 |
6100 |
150 |
MINIBLOC |
| IXTX102N65X2 |
PTH |
N |
1040 |
650 |
30 |
5 |
102 |
0.03 |
152 |
28 |
6100 |
150 |
PLUS247 |