Транзистор IXFH80N20Q
IXFH80N20Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4600 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFH80N20Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFK80N20Q |
PTH |
N |
360 |
200 |
20 |
4 |
80 |
0.03 |
180 |
- |
4600 |
150 |
TO-264 |
| IXFT80N20Q |
SMD |
N |
360 |
200 |
20 |
4 |
80 |
0.015 |
180 |
- |
4600 |
150 |
TO-268 |