Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFK100N10

IXFK100N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 360 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFK100N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT10M09LVFRG	PTH	N	625	100	30	4	100	0.009	350	36	3940	150	TO-264
APT10M11B2VFRG	PTH	N	520	100	30	4	100	0.011	300	33	3200	150	TMAX
APT10M11LVFRG	PTH	N	520	100	30	4	100	0.011	300	33	3200	150	TO-264
IXFE180N10	Модуль	N	500	100	20	4	176	0.008	360	250	-	150	ISOPLUS227
IXFE180N20	Модуль	N	500	200	20	4	158	0.012	360	250	-	150	ISOPLUS227
IXFK150N10	PTH	N	500	100	20	4	150	0.012	360	-	-	150	TO-264
IXTK180N15	PTH	N	800	150	20	4	180	0.011	220	120	-	150	TO-264
STE140NF20D	Модуль	N	500	200	20	4	140	0.012	338	-	-	150	ISOTOP