Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор IXFK170N10 полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFK170N10

IXFK170N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 560 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 170 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 515 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFK170N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH320N10T2	PTH	N	1000	100	20	4	320	0.0035	430	98	-	175	TO-247
IXFK180N10	PTH	N	560	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	TO-264
IXFN170N10	Модуль	N	600	100	20	4	170	0.01	515	-	-	175	MINIBLOC
IXFN180N10	Модуль	N	600	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	MINIBLOC
IXFT320N10T2	SMD	N	1000	100	20	4	320	0.0035	430	98	-	175	TO-268
IXFX180N10	PTH	N	560	100	20	4	180	0.008	390	-	-	150	TO-247
IXTK250N10	PTH	N	730	100	20	4	250	0.005	390	150	-	150	TO-264
RU1H300Q	PTH	N	600	100	25	4	300	0.004	430	225	1450	175	TO-247