Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFN160N30T

IXFN160N30T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 900 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 130 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 376 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFN160N30T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB210N30P3	PTH	N	1890	300	20	5	210	0.0145	268	25	2550	150	PLUS264
IXFK150N30P3	PTH	N	1300	300	20	5	150	0.019	197	30	1910	150	TO-264
IXFK160N30T	PTH	N	1390	300	20	5	160	0.019	376	-	-	150	TO-264
IXFN210N30P3	Модуль	N	1500	300	20	5	192	0.0145	268	25	2550	150	MINIBLOC
IXFX150N30P3	PTH	N	1300	300	20	5	150	0.019	197	30	1910	150	PLUS247
IXFX160N30T	PTH	N	1390	300	20	5	160	0.019	376	-	-	150	PLUS247