Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR140N20P

IXFR140N20P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 240 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXFR140N20P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IRFP4668PBF	PTH	N	520	200	30	5	130	0.0097	241	105	810	175	TO-247AC
IXFH120N20P	PTH	N	714	200	20	5	120	0.022	152	200	-	175	TO-247
IXFK140N20P	PTH	N	830	200	20	5	140	0.018	240	200	-	175	TO-264
IXFK170N20P	PTH	N	1250	200	20	5	170	0.014	185	200	-	175	TO-264
IXFN140N20P	Модуль	N	680	200	20	5	115	0.018	240	200	-	175	MINIBLOC
IXFX170N20P	PTH	N	1250	200	20	5	170	0.014	185	200	-	175	PLUS247
IXTH130N20T	PTH	N	830	200	20	5	130	0.016	150	150	-	175	TO-247
IXTK120N20P	PTH	N	714	200	20	5	120	0.022	152	180	-	175	TO-264
IXTK140N20P	PTH	N	800	200	20	5	140	0.018	240	180	-	175	TO-264
IXTQ120N20P	PTH	N	714	200	20	5	120	0.022	152	180	-	175	TO-3P