Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR32N100P

IXFR32N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 320 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.34 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 225 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR32N100P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK32N100P	PTH	N	960	1000	30	6.5	32	0.32	225	300	-	150	TO-264
IXFK32N100Q3	PTH	N	1250	1000	30	6.5	32	0.32	195	300	-	150	TO-264
IXFN32N100P	Модуль	N	690	1000	30	6.5	27	0.32	225	300	-	150	MINIBLOC
IXFN32N100Q3	Модуль	N	780	1000	30	6.5	28	0.32	195	300	-	150	ISOTOP
IXFX32N100P	PTH	N	960	1000	30	6.5	32	0.32	225	300	-	150	PLUS247
IXFX32N100Q3	PTH	N	1250	1000	30	6.5	32	0.32	195	300	-	150	PLUS247