Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR80N10Q

IXFR80N10Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXFR80N10Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB410L SMD N 333 100 25 4 150 0.0062 107 22 594 175 TO-263
AOT410L PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-220
AOW410 PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-262
BUK755R4-100E PTH N 349 100 20 4 120 0.0052 180 62 770 175 TO-220AB
BUK765R0-100E SMD N 357 100 20 4 120 0.005 180 62 770 175 D2PAK
IRF3610SPBF SMD N 333 100 20 4 103 0.0116 100 55 690 175 TO-263
IRFB4110GPBF PTH N 370 100 20 4 120 0.0045 150 67 670 175 TO-220AB
IRFB4110PBF PTH N 370 100 20 4 120 0.0045 150 67 670 175 TO-220AB
IRFS4010-7PPBF SMD N 380 100 20 4 190 0.004 150 56 650 175 TO-263-CA7
KDB3632 SMD N 310 100 20 4 80 0.009 84 39 820 175 TO-263
RU190N10Q PTH N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-247
RU190N10R PTH N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-220
RU190N10S SMD N 312 100 25 4 190 0.008 155 42 1000 175 TO-263
RU1H190R PTH N 333 100 25 4 190 0.0065 158 38 940 175 TO-220
RU1H190S SMD N 333 100 25 4 190 0.0065 158 38 940 175 TO-263