Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFT26N50Q

IXFT26N50Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT26N50Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH26N50Q	PTH	N	300	500	20	4.5	26	0.2	95	-	-	175	TO-247
IXFH28N50Q	PTH	N	400	500	30	4.5	28	0.2	94	250	-	150	TO-247
IXFH42N50P2	PTH	N	830	500	30	4.5	42	0.145	92	250	-	150	TO-247
IXFT28N50Q	SMD	N	375	500	30	4.5	28	0.2	94	20	470	150	TO-268
IXFT42N50P2	SMD	N	830	500	30	4.5	42	0.145	92	250	-	150	TO-268
IXTQ470P2	PTH	N	830	500	30	4.5	42	0.145	88	-	-	150	TO-3P